IRFB4310ZGPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB4310ZGPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6860pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26951 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB4310ZGPBF
IRFB4310ZGPBF Elektroniska komponenter
IRFB4310ZGPBF Försäljning
IRFB4310ZGPBF Leverantör
IRFB4310ZGPBF Distributör
IRFB4310ZGPBF Datatabell
IRFB4310ZGPBF Foton
IRFB4310ZGPBF Pris
IRFB4310ZGPBF Erbjudande
IRFB4310ZGPBF Lägsta pris
IRFB4310ZGPBF Sök
IRFB4310ZGPBF Köp av
IRFB4310ZGPBF Chip