IRFB4310GPBF
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB4310GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7670pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15884 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB4310GPBF
IRFB4310GPBF Elektroniska komponenter
IRFB4310GPBF Försäljning
IRFB4310GPBF Leverantör
IRFB4310GPBF Distributör
IRFB4310GPBF Datatabell
IRFB4310GPBF Foton
IRFB4310GPBF Pris
IRFB4310GPBF Erbjudande
IRFB4310GPBF Lägsta pris
IRFB4310GPBF Sök
IRFB4310GPBF Köp av
IRFB4310GPBF Chip