IRFB4020PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB4020PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37905 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB4020PBF
IRFB4020PBF Elektroniska komponenter
IRFB4020PBF Försäljning
IRFB4020PBF Leverantör
IRFB4020PBF Distributör
IRFB4020PBF Datatabell
IRFB4020PBF Foton
IRFB4020PBF Pris
IRFB4020PBF Erbjudande
IRFB4020PBF Lägsta pris
IRFB4020PBF Sök
IRFB4020PBF Köp av
IRFB4020PBF Chip