IRFB3307ZGPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB3307ZGPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
230W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8207 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB3307ZGPBF
IRFB3307ZGPBF Elektroniska komponenter
IRFB3307ZGPBF Försäljning
IRFB3307ZGPBF Leverantör
IRFB3307ZGPBF Distributör
IRFB3307ZGPBF Datatabell
IRFB3307ZGPBF Foton
IRFB3307ZGPBF Pris
IRFB3307ZGPBF Erbjudande
IRFB3307ZGPBF Lägsta pris
IRFB3307ZGPBF Sök
IRFB3307ZGPBF Köp av
IRFB3307ZGPBF Chip