IPU64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
Artikelnummer
IPU64CN10N G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
44W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
569pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30250 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPU64CN10N G
IPU64CN10N G Elektroniska komponenter
IPU64CN10N G Försäljning
IPU64CN10N G Leverantör
IPU64CN10N G Distributör
IPU64CN10N G Datatabell
IPU64CN10N G Foton
IPU64CN10N G Pris
IPU64CN10N G Erbjudande
IPU64CN10N G Lägsta pris
IPU64CN10N G Sök
IPU64CN10N G Köp av
IPU64CN10N G Chip