Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPS118N10N G

IPS118N10N G

MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
Artikelnummer
IPS118N10N G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4320pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13172 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPS118N10N G
IPS118N10N G Elektroniska komponenter
IPS118N10N G Försäljning
IPS118N10N G Leverantör
IPS118N10N G Distributör
IPS118N10N G Datatabell
IPS118N10N G Foton
IPS118N10N G Pris
IPS118N10N G Erbjudande
IPS118N10N G Lägsta pris
IPS118N10N G Sök
IPS118N10N G Köp av
IPS118N10N G Chip