Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPS10N03LA G

IPS10N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Artikelnummer
IPS10N03LA G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1358pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29669 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPS10N03LA G
IPS10N03LA G Elektroniska komponenter
IPS10N03LA G Försäljning
IPS10N03LA G Leverantör
IPS10N03LA G Distributör
IPS10N03LA G Datatabell
IPS10N03LA G Foton
IPS10N03LA G Pris
IPS10N03LA G Erbjudande
IPS10N03LA G Lägsta pris
IPS10N03LA G Sök
IPS10N03LA G Köp av
IPS10N03LA G Chip