IPS09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Artikelnummer
IPS09N03LB G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251-3
Effektförlust (max)
58W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15818 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPS09N03LB G
IPS09N03LB G Elektroniska komponenter
IPS09N03LB G Försäljning
IPS09N03LB G Leverantör
IPS09N03LB G Distributör
IPS09N03LB G Datatabell
IPS09N03LB G Foton
IPS09N03LB G Pris
IPS09N03LB G Erbjudande
IPS09N03LB G Lägsta pris
IPS09N03LB G Sök
IPS09N03LB G Köp av
IPS09N03LB G Chip