IPP80N04S3H4AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Artikelnummer
IPP80N04S3H4AKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
115W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 65µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28453 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP80N04S3H4AKSA1
IPP80N04S3H4AKSA1 Elektroniska komponenter
IPP80N04S3H4AKSA1 Försäljning
IPP80N04S3H4AKSA1 Leverantör
IPP80N04S3H4AKSA1 Distributör
IPP80N04S3H4AKSA1 Datatabell
IPP80N04S3H4AKSA1 Foton
IPP80N04S3H4AKSA1 Pris
IPP80N04S3H4AKSA1 Erbjudande
IPP80N04S3H4AKSA1 Lägsta pris
IPP80N04S3H4AKSA1 Sök
IPP80N04S3H4AKSA1 Köp av
IPP80N04S3H4AKSA1 Chip