IPP60R520CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220
Artikelnummer
IPP60R520CPXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
66W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 340µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
630pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17111 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP60R520CPXKSA1
IPP60R520CPXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP60R520CPXKSA1 Försäljning
IPP60R520CPXKSA1 Leverantör
IPP60R520CPXKSA1 Distributör
IPP60R520CPXKSA1 Datatabell
IPP60R520CPXKSA1 Foton
IPP60R520CPXKSA1 Pris
IPP60R520CPXKSA1 Erbjudande
IPP60R520CPXKSA1 Lägsta pris
IPP60R520CPXKSA1 Sök
IPP60R520CPXKSA1 Köp av
IPP60R520CPXKSA1 Chip