IPP100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Artikelnummer
IPP100N06S3-03
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
480nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35552 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP100N06S3-03
IPP100N06S3-03 Elektroniska komponenter
IPP100N06S3-03 Försäljning
IPP100N06S3-03 Leverantör
IPP100N06S3-03 Distributör
IPP100N06S3-03 Datatabell
IPP100N06S3-03 Foton
IPP100N06S3-03 Pris
IPP100N06S3-03 Erbjudande
IPP100N06S3-03 Lägsta pris
IPP100N06S3-03 Sök
IPP100N06S3-03 Köp av
IPP100N06S3-03 Chip