IPI80P04P4L04AKSA1
MOSFET P-CH TO262-3
Artikelnummer
IPI80P04P4L04AKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3-1
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
176nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
+5V, -16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23527 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI80P04P4L04AKSA1
IPI80P04P4L04AKSA1 Elektroniska komponenter
IPI80P04P4L04AKSA1 Försäljning
IPI80P04P4L04AKSA1 Leverantör
IPI80P04P4L04AKSA1 Distributör
IPI80P04P4L04AKSA1 Datatabell
IPI80P04P4L04AKSA1 Foton
IPI80P04P4L04AKSA1 Pris
IPI80P04P4L04AKSA1 Erbjudande
IPI80P04P4L04AKSA1 Lägsta pris
IPI80P04P4L04AKSA1 Sök
IPI80P04P4L04AKSA1 Köp av
IPI80P04P4L04AKSA1 Chip