IPI80N06S4L05AKSA2
MOSFET N-CH TO262-3
Artikelnummer
IPI80N06S4L05AKSA2
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3-1
Effektförlust (max)
107W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 40A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 60µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19489 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI80N06S4L05AKSA2
IPI80N06S4L05AKSA2 Elektroniska komponenter
IPI80N06S4L05AKSA2 Försäljning
IPI80N06S4L05AKSA2 Leverantör
IPI80N06S4L05AKSA2 Distributör
IPI80N06S4L05AKSA2 Datatabell
IPI80N06S4L05AKSA2 Foton
IPI80N06S4L05AKSA2 Pris
IPI80N06S4L05AKSA2 Erbjudande
IPI80N06S4L05AKSA2 Lägsta pris
IPI80N06S4L05AKSA2 Sök
IPI80N06S4L05AKSA2 Köp av
IPI80N06S4L05AKSA2 Chip