IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Artikelnummer
IPG20N10S4L35ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Effekt - Max
43W
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8-4
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 16µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1105pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24148 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPG20N10S4L35ATMA1
IPG20N10S4L35ATMA1 Elektroniska komponenter
IPG20N10S4L35ATMA1 Försäljning
IPG20N10S4L35ATMA1 Leverantör
IPG20N10S4L35ATMA1 Distributör
IPG20N10S4L35ATMA1 Datatabell
IPG20N10S4L35ATMA1 Foton
IPG20N10S4L35ATMA1 Pris
IPG20N10S4L35ATMA1 Erbjudande
IPG20N10S4L35ATMA1 Lägsta pris
IPG20N10S4L35ATMA1 Sök
IPG20N10S4L35ATMA1 Köp av
IPG20N10S4L35ATMA1 Chip