IPG20N10S4L22AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
Artikelnummer
IPG20N10S4L22AATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Effekt - Max
60W
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8-10
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1755pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38818 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1 Elektroniska komponenter
IPG20N10S4L22AATMA1 Försäljning
IPG20N10S4L22AATMA1 Leverantör
IPG20N10S4L22AATMA1 Distributör
IPG20N10S4L22AATMA1 Datatabell
IPG20N10S4L22AATMA1 Foton
IPG20N10S4L22AATMA1 Pris
IPG20N10S4L22AATMA1 Erbjudande
IPG20N10S4L22AATMA1 Lägsta pris
IPG20N10S4L22AATMA1 Sök
IPG20N10S4L22AATMA1 Köp av
IPG20N10S4L22AATMA1 Chip