IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Artikelnummer
IPD80R2K8CEBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252-3
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38155 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD80R2K8CEBTMA1
IPD80R2K8CEBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD80R2K8CEBTMA1 Försäljning
IPD80R2K8CEBTMA1 Leverantör
IPD80R2K8CEBTMA1 Distributör
IPD80R2K8CEBTMA1 Datatabell
IPD80R2K8CEBTMA1 Foton
IPD80R2K8CEBTMA1 Pris
IPD80R2K8CEBTMA1 Erbjudande
IPD80R2K8CEBTMA1 Lägsta pris
IPD80R2K8CEBTMA1 Sök
IPD80R2K8CEBTMA1 Köp av
IPD80R2K8CEBTMA1 Chip