IPD80N06S3-09
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Artikelnummer
IPD80N06S3-09
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
107W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 55µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12020 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD80N06S3-09
IPD80N06S3-09 Elektroniska komponenter
IPD80N06S3-09 Försäljning
IPD80N06S3-09 Leverantör
IPD80N06S3-09 Distributör
IPD80N06S3-09 Datatabell
IPD80N06S3-09 Foton
IPD80N06S3-09 Pris
IPD80N06S3-09 Erbjudande
IPD80N06S3-09 Lägsta pris
IPD80N06S3-09 Sök
IPD80N06S3-09 Köp av
IPD80N06S3-09 Chip