IPD60R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Artikelnummer
IPD60R650CEBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CE
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
82W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11908 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD60R650CEBTMA1
IPD60R650CEBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD60R650CEBTMA1 Försäljning
IPD60R650CEBTMA1 Leverantör
IPD60R650CEBTMA1 Distributör
IPD60R650CEBTMA1 Datatabell
IPD60R650CEBTMA1 Foton
IPD60R650CEBTMA1 Pris
IPD60R650CEBTMA1 Erbjudande
IPD60R650CEBTMA1 Lägsta pris
IPD60R650CEBTMA1 Sök
IPD60R650CEBTMA1 Köp av
IPD60R650CEBTMA1 Chip