IPD60R3K3C6
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Artikelnummer
IPD60R3K3C6
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
18.1W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
93pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34848 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD60R3K3C6
IPD60R3K3C6 Elektroniska komponenter
IPD60R3K3C6 Försäljning
IPD60R3K3C6 Leverantör
IPD60R3K3C6 Distributör
IPD60R3K3C6 Datatabell
IPD60R3K3C6 Foton
IPD60R3K3C6 Pris
IPD60R3K3C6 Erbjudande
IPD60R3K3C6 Lägsta pris
IPD60R3K3C6 Sök
IPD60R3K3C6 Köp av
IPD60R3K3C6 Chip