Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPD60R380E6ATMA2

IPD60R380E6ATMA2

MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Artikelnummer
IPD60R380E6ATMA2
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 300µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41552 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPD60R380E6ATMA2
IPD60R380E6ATMA2 Elektroniska komponenter
IPD60R380E6ATMA2 Försäljning
IPD60R380E6ATMA2 Leverantör
IPD60R380E6ATMA2 Distributör
IPD60R380E6ATMA2 Datatabell
IPD60R380E6ATMA2 Foton
IPD60R380E6ATMA2 Pris
IPD60R380E6ATMA2 Erbjudande
IPD60R380E6ATMA2 Lägsta pris
IPD60R380E6ATMA2 Sök
IPD60R380E6ATMA2 Köp av
IPD60R380E6ATMA2 Chip