Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPD50R950CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
Artikelnummer
IPD50R950CEBTMA1
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
34W (Tc)
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
231pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30652 PCS
Nyckelord av IPD50R950CEBTMA1
IPD50R950CEBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD50R950CEBTMA1 Försäljning
IPD50R950CEBTMA1 Leverantör
IPD50R950CEBTMA1 Distributör
IPD50R950CEBTMA1 Datatabell
IPD50R950CEBTMA1 Foton
IPD50R950CEBTMA1 Pris
IPD50R950CEBTMA1 Erbjudande
IPD50R950CEBTMA1 Lägsta pris
IPD50R950CEBTMA1 Sök
IPD50R950CEBTMA1 Köp av
IPD50R950CEBTMA1 Chip