IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Artikelnummer
IPD50R650CEBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
47W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
342pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51157 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD50R650CEBTMA1
IPD50R650CEBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD50R650CEBTMA1 Försäljning
IPD50R650CEBTMA1 Leverantör
IPD50R650CEBTMA1 Distributör
IPD50R650CEBTMA1 Datatabell
IPD50R650CEBTMA1 Foton
IPD50R650CEBTMA1 Pris
IPD50R650CEBTMA1 Erbjudande
IPD50R650CEBTMA1 Lägsta pris
IPD50R650CEBTMA1 Sök
IPD50R650CEBTMA1 Köp av
IPD50R650CEBTMA1 Chip