IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
Artikelnummer
IPD50R3K0CEAUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CE
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
26W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
84pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52568 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD50R3K0CEAUMA1
IPD50R3K0CEAUMA1 Elektroniska komponenter
IPD50R3K0CEAUMA1 Försäljning
IPD50R3K0CEAUMA1 Leverantör
IPD50R3K0CEAUMA1 Distributör
IPD50R3K0CEAUMA1 Datatabell
IPD50R3K0CEAUMA1 Foton
IPD50R3K0CEAUMA1 Pris
IPD50R3K0CEAUMA1 Erbjudande
IPD50R3K0CEAUMA1 Lägsta pris
IPD50R3K0CEAUMA1 Sök
IPD50R3K0CEAUMA1 Köp av
IPD50R3K0CEAUMA1 Chip