IPD50R399CP
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
Artikelnummer
IPD50R399CP
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
550V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
399 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35142 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD50R399CP
IPD50R399CP Elektroniska komponenter
IPD50R399CP Försäljning
IPD50R399CP Leverantör
IPD50R399CP Distributör
IPD50R399CP Datatabell
IPD50R399CP Foton
IPD50R399CP Pris
IPD50R399CP Erbjudande
IPD50R399CP Lägsta pris
IPD50R399CP Sök
IPD50R399CP Köp av
IPD50R399CP Chip