IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
Artikelnummer
IPD50N06S4L12ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15619 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD50N06S4L12ATMA1
IPD50N06S4L12ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD50N06S4L12ATMA1 Försäljning
IPD50N06S4L12ATMA1 Leverantör
IPD50N06S4L12ATMA1 Distributör
IPD50N06S4L12ATMA1 Datatabell
IPD50N06S4L12ATMA1 Foton
IPD50N06S4L12ATMA1 Pris
IPD50N06S4L12ATMA1 Erbjudande
IPD50N06S4L12ATMA1 Lägsta pris
IPD50N06S4L12ATMA1 Sök
IPD50N06S4L12ATMA1 Köp av
IPD50N06S4L12ATMA1 Chip