IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Artikelnummer
IPD50N06S2L13ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.7 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25566 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD50N06S2L13ATMA1
IPD50N06S2L13ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD50N06S2L13ATMA1 Försäljning
IPD50N06S2L13ATMA1 Leverantör
IPD50N06S2L13ATMA1 Distributör
IPD50N06S2L13ATMA1 Datatabell
IPD50N06S2L13ATMA1 Foton
IPD50N06S2L13ATMA1 Pris
IPD50N06S2L13ATMA1 Erbjudande
IPD50N06S2L13ATMA1 Lägsta pris
IPD50N06S2L13ATMA1 Sök
IPD50N06S2L13ATMA1 Köp av
IPD50N06S2L13ATMA1 Chip