IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Artikelnummer
IPD35N10S3L26ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
71W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41942 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD35N10S3L26ATMA1
IPD35N10S3L26ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD35N10S3L26ATMA1 Försäljning
IPD35N10S3L26ATMA1 Leverantör
IPD35N10S3L26ATMA1 Distributör
IPD35N10S3L26ATMA1 Datatabell
IPD35N10S3L26ATMA1 Foton
IPD35N10S3L26ATMA1 Pris
IPD35N10S3L26ATMA1 Erbjudande
IPD35N10S3L26ATMA1 Lägsta pris
IPD35N10S3L26ATMA1 Sök
IPD35N10S3L26ATMA1 Köp av
IPD35N10S3L26ATMA1 Chip