IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Artikelnummer
IPD33CN10NGBUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
58W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 29µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6150 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD33CN10NGBUMA1
IPD33CN10NGBUMA1 Elektroniska komponenter
IPD33CN10NGBUMA1 Försäljning
IPD33CN10NGBUMA1 Leverantör
IPD33CN10NGBUMA1 Distributör
IPD33CN10NGBUMA1 Datatabell
IPD33CN10NGBUMA1 Foton
IPD33CN10NGBUMA1 Pris
IPD33CN10NGBUMA1 Erbjudande
IPD33CN10NGBUMA1 Lägsta pris
IPD33CN10NGBUMA1 Sök
IPD33CN10NGBUMA1 Köp av
IPD33CN10NGBUMA1 Chip