IPD30N06S2L-13
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Artikelnummer
IPD30N06S2L-13
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45746 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD30N06S2L-13
IPD30N06S2L-13 Elektroniska komponenter
IPD30N06S2L-13 Försäljning
IPD30N06S2L-13 Leverantör
IPD30N06S2L-13 Distributör
IPD30N06S2L-13 Datatabell
IPD30N06S2L-13 Foton
IPD30N06S2L-13 Pris
IPD30N06S2L-13 Erbjudande
IPD30N06S2L-13 Lägsta pris
IPD30N06S2L-13 Sök
IPD30N06S2L-13 Köp av
IPD30N06S2L-13 Chip