Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Artikelnummer
IPD30N06S215ATMA2
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3-11
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1485pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43395 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPD30N06S215ATMA2
IPD30N06S215ATMA2 Elektroniska komponenter
IPD30N06S215ATMA2 Försäljning
IPD30N06S215ATMA2 Leverantör
IPD30N06S215ATMA2 Distributör
IPD30N06S215ATMA2 Datatabell
IPD30N06S215ATMA2 Foton
IPD30N06S215ATMA2 Pris
IPD30N06S215ATMA2 Erbjudande
IPD30N06S215ATMA2 Lägsta pris
IPD30N06S215ATMA2 Sök
IPD30N06S215ATMA2 Köp av
IPD30N06S215ATMA2 Chip