IPD170N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Artikelnummer
IPD170N04NGBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
31W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32621 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD170N04NGBTMA1
IPD170N04NGBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD170N04NGBTMA1 Försäljning
IPD170N04NGBTMA1 Leverantör
IPD170N04NGBTMA1 Distributör
IPD170N04NGBTMA1 Datatabell
IPD170N04NGBTMA1 Foton
IPD170N04NGBTMA1 Pris
IPD170N04NGBTMA1 Erbjudande
IPD170N04NGBTMA1 Lägsta pris
IPD170N04NGBTMA1 Sök
IPD170N04NGBTMA1 Köp av
IPD170N04NGBTMA1 Chip