IPD160N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
Artikelnummer
IPD160N04LGBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
31W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32811 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD160N04LGBTMA1
IPD160N04LGBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD160N04LGBTMA1 Försäljning
IPD160N04LGBTMA1 Leverantör
IPD160N04LGBTMA1 Distributör
IPD160N04LGBTMA1 Datatabell
IPD160N04LGBTMA1 Foton
IPD160N04LGBTMA1 Pris
IPD160N04LGBTMA1 Erbjudande
IPD160N04LGBTMA1 Lägsta pris
IPD160N04LGBTMA1 Sök
IPD160N04LGBTMA1 Köp av
IPD160N04LGBTMA1 Chip