IPD12CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Artikelnummer
IPD12CN10NGBUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4320pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20498 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD12CN10NGBUMA1
IPD12CN10NGBUMA1 Elektroniska komponenter
IPD12CN10NGBUMA1 Försäljning
IPD12CN10NGBUMA1 Leverantör
IPD12CN10NGBUMA1 Distributör
IPD12CN10NGBUMA1 Datatabell
IPD12CN10NGBUMA1 Foton
IPD12CN10NGBUMA1 Pris
IPD12CN10NGBUMA1 Erbjudande
IPD12CN10NGBUMA1 Lägsta pris
IPD12CN10NGBUMA1 Sök
IPD12CN10NGBUMA1 Köp av
IPD12CN10NGBUMA1 Chip