IPD110N12N3GBUMA1
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Artikelnummer
IPD110N12N3GBUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 60V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15009 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3GBUMA1 Elektroniska komponenter
IPD110N12N3GBUMA1 Försäljning
IPD110N12N3GBUMA1 Leverantör
IPD110N12N3GBUMA1 Distributör
IPD110N12N3GBUMA1 Datatabell
IPD110N12N3GBUMA1 Foton
IPD110N12N3GBUMA1 Pris
IPD110N12N3GBUMA1 Erbjudande
IPD110N12N3GBUMA1 Lägsta pris
IPD110N12N3GBUMA1 Sök
IPD110N12N3GBUMA1 Köp av
IPD110N12N3GBUMA1 Chip