IPD105N04LGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Artikelnummer
IPD105N04LGBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5082 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD105N04LGBTMA1
IPD105N04LGBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD105N04LGBTMA1 Försäljning
IPD105N04LGBTMA1 Leverantör
IPD105N04LGBTMA1 Distributör
IPD105N04LGBTMA1 Datatabell
IPD105N04LGBTMA1 Foton
IPD105N04LGBTMA1 Pris
IPD105N04LGBTMA1 Erbjudande
IPD105N04LGBTMA1 Lägsta pris
IPD105N04LGBTMA1 Sök
IPD105N04LGBTMA1 Köp av
IPD105N04LGBTMA1 Chip