IPB77N06S212ATMA1
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Artikelnummer
IPB77N06S212ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
158W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.7 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28119 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB77N06S212ATMA1
IPB77N06S212ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB77N06S212ATMA1 Försäljning
IPB77N06S212ATMA1 Leverantör
IPB77N06S212ATMA1 Distributör
IPB77N06S212ATMA1 Datatabell
IPB77N06S212ATMA1 Foton
IPB77N06S212ATMA1 Pris
IPB77N06S212ATMA1 Erbjudande
IPB77N06S212ATMA1 Lägsta pris
IPB77N06S212ATMA1 Sök
IPB77N06S212ATMA1 Köp av
IPB77N06S212ATMA1 Chip