IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Artikelnummer
IPB65R110CFDAATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
277.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20787 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB65R110CFDAATMA1
IPB65R110CFDAATMA1 Elektroniska komponenter
IPB65R110CFDAATMA1 Försäljning
IPB65R110CFDAATMA1 Leverantör
IPB65R110CFDAATMA1 Distributör
IPB65R110CFDAATMA1 Datatabell
IPB65R110CFDAATMA1 Foton
IPB65R110CFDAATMA1 Pris
IPB65R110CFDAATMA1 Erbjudande
IPB65R110CFDAATMA1 Lägsta pris
IPB65R110CFDAATMA1 Sök
IPB65R110CFDAATMA1 Köp av
IPB65R110CFDAATMA1 Chip