IPB60R600CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
Artikelnummer
IPB60R600CPATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15934 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB60R600CPATMA1
IPB60R600CPATMA1 Elektroniska komponenter
IPB60R600CPATMA1 Försäljning
IPB60R600CPATMA1 Leverantör
IPB60R600CPATMA1 Distributör
IPB60R600CPATMA1 Datatabell
IPB60R600CPATMA1 Foton
IPB60R600CPATMA1 Pris
IPB60R600CPATMA1 Erbjudande
IPB60R600CPATMA1 Lägsta pris
IPB60R600CPATMA1 Sök
IPB60R600CPATMA1 Köp av
IPB60R600CPATMA1 Chip