IPB60R250CPATMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
Artikelnummer
IPB60R250CPATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5017 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB60R250CPATMA1
IPB60R250CPATMA1 Elektroniska komponenter
IPB60R250CPATMA1 Försäljning
IPB60R250CPATMA1 Leverantör
IPB60R250CPATMA1 Distributör
IPB60R250CPATMA1 Datatabell
IPB60R250CPATMA1 Foton
IPB60R250CPATMA1 Pris
IPB60R250CPATMA1 Erbjudande
IPB60R250CPATMA1 Lägsta pris
IPB60R250CPATMA1 Sök
IPB60R250CPATMA1 Köp av
IPB60R250CPATMA1 Chip