IPB60R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Artikelnummer
IPB60R190C6ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
151W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29756 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB60R190C6ATMA1 Försäljning
IPB60R190C6ATMA1 Leverantör
IPB60R190C6ATMA1 Distributör
IPB60R190C6ATMA1 Datatabell
IPB60R190C6ATMA1 Foton
IPB60R190C6ATMA1 Pris
IPB60R190C6ATMA1 Erbjudande
IPB60R190C6ATMA1 Lägsta pris
IPB60R190C6ATMA1 Sök
IPB60R190C6ATMA1 Köp av
IPB60R190C6ATMA1 Chip