IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Artikelnummer
IPB60R080P7ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ P7
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
129W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 590µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2180pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17237 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB60R080P7ATMA1
IPB60R080P7ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB60R080P7ATMA1 Försäljning
IPB60R080P7ATMA1 Leverantör
IPB60R080P7ATMA1 Distributör
IPB60R080P7ATMA1 Datatabell
IPB60R080P7ATMA1 Foton
IPB60R080P7ATMA1 Pris
IPB60R080P7ATMA1 Erbjudande
IPB60R080P7ATMA1 Lägsta pris
IPB60R080P7ATMA1 Sök
IPB60R080P7ATMA1 Köp av
IPB60R080P7ATMA1 Chip