BUZ73HXKSA1
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Artikelnummer
BUZ73HXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19659 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BUZ73HXKSA1
BUZ73HXKSA1 Elektroniska komponenter
BUZ73HXKSA1 Försäljning
BUZ73HXKSA1 Leverantör
BUZ73HXKSA1 Distributör
BUZ73HXKSA1 Datatabell
BUZ73HXKSA1 Foton
BUZ73HXKSA1 Pris
BUZ73HXKSA1 Erbjudande
BUZ73HXKSA1 Lägsta pris
BUZ73HXKSA1 Sök
BUZ73HXKSA1 Köp av
BUZ73HXKSA1 Chip