BUZ73ALHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Artikelnummer
BUZ73ALHXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31057 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BUZ73ALHXKSA1
BUZ73ALHXKSA1 Elektroniska komponenter
BUZ73ALHXKSA1 Försäljning
BUZ73ALHXKSA1 Leverantör
BUZ73ALHXKSA1 Distributör
BUZ73ALHXKSA1 Datatabell
BUZ73ALHXKSA1 Foton
BUZ73ALHXKSA1 Pris
BUZ73ALHXKSA1 Erbjudande
BUZ73ALHXKSA1 Lägsta pris
BUZ73ALHXKSA1 Sök
BUZ73ALHXKSA1 Köp av
BUZ73ALHXKSA1 Chip