BSF083N03LQ G
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Artikelnummer
BSF083N03LQ G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-WDSON
Leverantörsenhetspaket
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 53A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12366 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSF083N03LQ G
BSF083N03LQ G Elektroniska komponenter
BSF083N03LQ G Försäljning
BSF083N03LQ G Leverantör
BSF083N03LQ G Distributör
BSF083N03LQ G Datatabell
BSF083N03LQ G Foton
BSF083N03LQ G Pris
BSF083N03LQ G Erbjudande
BSF083N03LQ G Lägsta pris
BSF083N03LQ G Sök
BSF083N03LQ G Köp av
BSF083N03LQ G Chip