Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
BSC152N10NSFGATMA1

BSC152N10NSFGATMA1

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
Artikelnummer
BSC152N10NSFGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
114W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 63A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 72µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15914 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av BSC152N10NSFGATMA1
BSC152N10NSFGATMA1 Elektroniska komponenter
BSC152N10NSFGATMA1 Försäljning
BSC152N10NSFGATMA1 Leverantör
BSC152N10NSFGATMA1 Distributör
BSC152N10NSFGATMA1 Datatabell
BSC152N10NSFGATMA1 Foton
BSC152N10NSFGATMA1 Pris
BSC152N10NSFGATMA1 Erbjudande
BSC152N10NSFGATMA1 Lägsta pris
BSC152N10NSFGATMA1 Sök
BSC152N10NSFGATMA1 Köp av
BSC152N10NSFGATMA1 Chip