AUIRF7478Q
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Artikelnummer
AUIRF7478Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1740pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14784 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AUIRF7478Q
AUIRF7478Q Elektroniska komponenter
AUIRF7478Q Försäljning
AUIRF7478Q Leverantör
AUIRF7478Q Distributör
AUIRF7478Q Datatabell
AUIRF7478Q Foton
AUIRF7478Q Pris
AUIRF7478Q Erbjudande
AUIRF7478Q Lägsta pris
AUIRF7478Q Sök
AUIRF7478Q Köp av
AUIRF7478Q Chip