AUIRF7379QTR
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Artikelnummer
AUIRF7379QTR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2.5W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23315 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AUIRF7379QTR
AUIRF7379QTR Elektroniska komponenter
AUIRF7379QTR Försäljning
AUIRF7379QTR Leverantör
AUIRF7379QTR Distributör
AUIRF7379QTR Datatabell
AUIRF7379QTR Foton
AUIRF7379QTR Pris
AUIRF7379QTR Erbjudande
AUIRF7379QTR Lägsta pris
AUIRF7379QTR Sök
AUIRF7379QTR Köp av
AUIRF7379QTR Chip