AUIRF7379Q
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Artikelnummer
AUIRF7379Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2.5W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.8A, 4.3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36141 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AUIRF7379Q
AUIRF7379Q Elektroniska komponenter
AUIRF7379Q Försäljning
AUIRF7379Q Leverantör
AUIRF7379Q Distributör
AUIRF7379Q Datatabell
AUIRF7379Q Foton
AUIRF7379Q Pris
AUIRF7379Q Erbjudande
AUIRF7379Q Lägsta pris
AUIRF7379Q Sök
AUIRF7379Q Köp av
AUIRF7379Q Chip