AUIRF7341Q
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Artikelnummer
AUIRF7341Q
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2.4W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.1A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27024 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AUIRF7341Q
AUIRF7341Q Elektroniska komponenter
AUIRF7341Q Försäljning
AUIRF7341Q Leverantör
AUIRF7341Q Distributör
AUIRF7341Q Datatabell
AUIRF7341Q Foton
AUIRF7341Q Pris
AUIRF7341Q Erbjudande
AUIRF7341Q Lägsta pris
AUIRF7341Q Sök
AUIRF7341Q Köp av
AUIRF7341Q Chip