AUIRF2903ZL
MOSFET N-CH 30V 235A TO-262
Artikelnummer
AUIRF2903ZL
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
231W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6320pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6746 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AUIRF2903ZL
AUIRF2903ZL Elektroniska komponenter
AUIRF2903ZL Försäljning
AUIRF2903ZL Leverantör
AUIRF2903ZL Distributör
AUIRF2903ZL Datatabell
AUIRF2903ZL Foton
AUIRF2903ZL Pris
AUIRF2903ZL Erbjudande
AUIRF2903ZL Lägsta pris
AUIRF2903ZL Sök
AUIRF2903ZL Köp av
AUIRF2903ZL Chip